サンプル出荷を開始：
東芝メモリは2017年5月29日、NVM Express（NVMe）SSDの新製品として、64層積層の3ビット/セル（TLC）の3次元（3D）NAND型フラッシュメモリを用い最大容量1024Gバイトを実現した「XG5シリーズ」のサンプル出荷を開始した。
[竹本達哉，EE Times Japan]
順次、出荷拡大へ
東芝メモリは2017年5月29日、64層積層の3ビット/セル（TLC）の3次元（3D）NAND型フラッシュメモリを用いたNVM Express（NVMe）SSDとして、最大容量1024Gバイトの「XG5シリーズ」を製品化し、一部顧客向けにサンプル出荷を開始したと発表した。2017年7?9月以降、順次出荷を拡大する。
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最大容量1024Gバイトを実現した「XG5シリーズ」
新しいNVMe SSDは、東芝メモリ独自の3D NAND技術である「BiCS FLASH」を用いた積層数64層のフラッシュメモリを搭載。PCI Express Gen3（4レーン）と1ビット/セル（SLC）キャッシュを用いて、3000Mバイト/秒のシーケンシャルリードと2100Mバイト/秒のシーケンシャルライト性能を実現した。
待機電力、従来比50％以上減
消費電力についても従来品（XG3シリーズ）に比べて「単位消費電力あたりの読み書き性能を改善した」（東芝メモリ）とする他、待機中の消費電力も従来品比50％以上低減した3mW以下を実現している。
XG5シリーズの記憶容量は、1024Gバイトの他、512Gバイト、256Gバイトの3種を用意。いずれも形状はM.2 2280の片面実装タイプで、TCG Opal Version 2.01を採用した自己暗号化機能付モデルも展開する。
