X
【ＭＲＡＭ】記憶容量、ＤＲＡＭの１０倍以上へ　東北大が新素子
■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
0001ばーど ★
垢版 |
2018/02/17(土) 21:08:03.29ID:CAP_USER9
　東北大学の大野英男教授らは電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「ＭＲＡＭ」で、新型の素子を開発した。携帯端末やパソコンに搭載するＤＲＡＭの10倍以上の記憶容量が期待でき、省エネにも役立つ。企業と組んで５年後の製品化を目指し、ＤＲＡＭの代替を狙う。

　開発したのはスマートフォン（スマホ）などの中で演算素子と組み合わせ、高速演算中のデータを保存するメモリー素子。電流で磁石の向きを変えてデータを書き換える記録方式で「ＳＴＴ―ＭＲＡＭ」と呼ぶ。電源がオフの状態でも情報を保つ。この方式は2018年度にも製品化される見通しだが、素子の線幅が約20ナノ（ナノは10億分の１）メートルにとどまっている。

　研究チームは素子の形などを工夫し微細化を実現した。線幅8.8ナノメートルの素子を作り、動作することを確かめた。深見俊輔准教授は「数百ギガ（ギガは10億）ビットの大容量メモリーが実現できる」と話す。

2018/2/17 19:12
日本経済新聞
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO27057540X10C18A2000000/
0240名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/18(日) 15:11:44.21ID:NpBdP58u0
>>116
結局日本のバカ官僚（経済産業省）のせいなんだよ。　知財保護とか言いつつ何もしない
売った後ギャーギャー言うだけ。　バカかと、法制しろよｗ
0241名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/18(日) 15:16:16.60ID:xlfxQwi40
ＭＲＡＭなどの不揮発メモリが重要なのは、電流を流したままの
スリープ状態と動作状態を操作で切り替えるのではなく、

個別、個々の部分を細かい単位で電源を落とし０秒復帰できる用途に必須なのです。
それは高速なＣＰＵ向けよりも携帯デバイスのようなバッテリー駆動のそれに適している。

ＭＲＡＭはＣＰＵより熱に強いので完全３Ｄ実装でＣＰＵの真上にメモリを実装することが
熱に弱いＤＲＡＭでは不可能だったが可能になる。
0242名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/18(日) 15:22:58.14ID:xlfxQwi40
>>76
>ポストDRAMはReRAMだと思ってたけどな
>そういやIntelの3D Xpointってその後どうなってんだ？
いや、それはストレージクラスのメモリで、ＤＲＡＭ代行じゃない
書き換え回数で１兆回以上書き換えられないとＤＲＡＭ置き換えとか無理だから
そのクラスでは線形予測であって実証できないので上限が曖昧になっているのが多い、
0243名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/18(日) 16:01:03.24ID:kUTSfl5w0
日経新聞の記事じゃ詳しい事はさっぱりだからソース元に見に行った
プレスリリース
磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現〜超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋〜
http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2018/02/press20180214-01.html

3.8nメートルの技術なのに8.8nという数字はどこに？日経の誤植か？
それとプレスリリースの図を見るとHDD等で築いた垂直磁気記録の技術を応用しているように見える
0245名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/18(日) 17:55:10.04ID:TlrJLG5s0
MRAMは高温動作は苦手やで
微細化するほど苦手度アップするで
0246名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/18(日) 18:03:20.74ID:Q8jFm7C/0
>>14
どうなってるの？これも新技術？
0247名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/18(日) 18:09:37.02ID:7D627s4V0
こういうニュースで実物が出てきた試しないけどねｗ
ホログラムメモリとか熱アシスト記録とか
0248名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/18(日) 18:13:57.93ID:tpijRrXJ0
SSDの代替にはならないだろ。
恐らく安定性に問題がある。
ストレージクラスとしてDRAMの代替品だな。
0250名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/19(月) 02:15:38.04ID:GeI7aYQD0
>>245
>実験室レベルでは、150℃の環境で連続使用20年の加速度テストもクリアしている。
>https://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0807/hot499.htm
どこがDRAMに比べて熱に弱いんだよ、DRAMなんてちょっと暑くなるだけであっさり死亡するぞ。
0254名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/19(月) 04:51:44.34ID:MCaF9mR+0
昔の磁気コアメモリや磁気薄膜メモリや磁気ワイヤメモリに似てるな。
半導体の微小加工技術でリバイバルしたような感じで既視感がある。
0255名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/19(月) 05:12:55.53ID:YeIg3/MO0
これってブロッホラインメモリか？
なら原理の発明は東北大学じゃねーよ
0258名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/19(月) 07:58:54.93ID:OpY7EVYP0
磁性体は温度が上がると
磁気の保持ができなくなるので
温度が上がるとデータが消えるのが磁気コア。

もっともMRAMがその原理を利用してるとは限らないが。
0259名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/19(月) 08:06:11.74ID:AuR4kM0l0
電源切れたら消えるDRAMはセキュリティでは有利だろ
0260名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/19(月) 08:07:47.96ID:yMqJJJLo0
いまどきDRAM作ってる日本メーカーは無いから
サムスンかマイクロンと組むのか
0261名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/19(月) 08:08:35.61ID:h3kkd1V30
性能はいいんだけど5年後って阿呆すぎだろｗ
そんなの代替品がとっくに出てる
全力でサポートして2年後に出せよ
0263名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/19(月) 09:08:57.20ID:OpY7EVYP0
256MのMRAMは売ってたよね。
0265名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/19(月) 23:52:40.33ID:G8G1ZP1E0
>>250
仕事で関わってたけど、未だ限られた部分でしか普及してないのは、高温動作が苦手なのと読み出しだけでも素子が劣化する事にある。
実験室レベルでは改善する術はなくもないけど、量産レベルではコストが見合わない。
各社地道に研究してるけど、未だ程遠い。
0267名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/20(火) 03:08:28.09ID:qhH51xHl0
まず、そもそもこの発表が本当かどうか疑わしい
仮に本当だとしても、量産できない可能性が高い
0269名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 03:06:39.34ID:ucUzE89O0
>>265
>仕事で関わってたけど
まったく違うふるいMRAMを説明してもなぁ
いまのはSTT-MRAMで原理そのものが違うし
１０年磁気保持の磁気スペックが嘘だと主張するのはいいけど
技術が常に同じだというのはレッテルはりじゃね？
そもそも磁気が狂う温度は磁性体のキュリー温度が低い奴が発生するのを
すべて同じと思うのはどうだろう、キュリー温度69℃から 1388℃までであるのに
一律で温度に弱い言うならHDDの磁石が少し温度高めで回らなくなるぞと連呼しているようなもの
0270名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 03:09:27.71ID:ucUzE89O0
>>265
>読み出しだけでも素子が劣化する事にある。
恐ろしく古いデータを知っていて、全部が読み出し劣化とかないわ、
単にレッテル貼りたいだけでしょ、昔のは弱点だらけだったが
どれも改善されているから製品化になる。
どんなものでも初期（既に出ていたプロトタイプ）のは弱点だらけな。
0271名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 18:21:43.91ID:AfX6/gg30
>>260
東芝はDRAMは撤退したけど、MRAMはやってるよ
0272名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 18:32:13.68ID:KRQQ/zvP0
10倍は凄いな
今のパソが8-16GのメモリでＳＳＤが120-240Gだからな
ＳＳＤがメインメモリに乗るな
0274名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 18:39:36.05ID:EoQjJGtD0
ただし１００まんえんｗ
0275名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 18:44:35.33ID:TClkCnTH0
はいはい。ちゃんといままで税金から支払われた研究費を返せるように、研究成果を正しい企業に販売しろよ。
0276名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 21:04:14.23ID:2zm2yLAl0
銭ゲバ大学
テスラに似てる
0277名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 21:10:31.54ID:qdf5Yo8e0
【衝撃】　SSDは7日通電しないとデータをロストする。

こちらは、25度だと1〜7年、30度だと半年〜3年と40度で約13週間(=約3ヶ月)、
45度では7週間、50度では4週間、5度上がるごとに データ保持期間が半分になるという


その点、東芝製不揮発性磁気メモリーMRAM　通電不要
優れた高温データ保持特性　（Tc>500℃）
半永久的にデータの読み出しと書き込みを繰り返し可能

アクセス時間は3.3ナノ秒を実現するとともに、
SRAMと比べて消費電力を10分の1以下に抑えている。
【メモリ速度比較】 SRAM=1秒 DRAM=10秒 内蔵SSD=10時間 外付けSSD=1週間 HDD=論外
0278名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 21:25:43.82ID:qdf5Yo8e0
.> 東芝はＤＲＡＭの10倍以上線幅8.8ナノメートルMRAM、米ウエスタン・デジタル(WD)と製造するのか。

素子の線幅が約20ナノ（ナノは10億分の１）は韓国SK Hynixと東芝が共同開発した
4Gbitの大容量STT-MRAMを 2018年度にも製品化される見通し、

東北大学の大野英男教授ら研究チームは素子の形などを工夫し微細化を実現した。
線幅8.8ナノメートルの素子を作り、 動作することを確かめた。
深見俊輔准教授は「数百ギガ（ギガは10億）ビットの 大容量メモリーが実現できる」と話す。
0281名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 21:49:31.58ID:COHjCaTv0
10倍以上で、不揮発性で、5年後に実用化。
OPTANEでいいやん！
0282名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 21:53:37.02ID:2zm2yLAl0
FeRAMと同じ運命だと思うわ
2T2MTJとかワロス
0283名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 22:12:42.47ID:COHjCaTv0
optaneの後塵を拝す位置にすら辿り着けないだろうけど、スマホでの適用を目指すってのはとても良いと思う。
INTELはXEONに固執しすぎ。
0284名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 22:14:26.07ID:/SEPB0sf0
SSD、高いわー。
安ーて良いの、早よ作ってほしいわー。
0286名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 22:21:17.64ID:WGPSi/da0
速度性能，耐久性，微細化まではクリアできたとして
製造コストは下げられそうなの？
厚い磁性体の層を作ったりと加工手順が多そうな印象だけど
0287名無しさん＠１周年
垢版 |
2018/02/21(水) 22:35:08.70ID:jG9u2WSX0
CPUとこれ一纏めにして、マザーボードにぶっ刺すカセット上にすれば
■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
ニューススポーツなんでも実況