【ＭＲＡＭ】記憶容量、ＤＲＡＭの１０倍以上へ 東北大が新素子
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東北大学の大野英男教授らは電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「ＭＲＡＭ」で、新型の素子を開発した。携帯端末やパソコンに搭載するＤＲＡＭの10倍以上の記憶容量が期待でき、省エネにも役立つ。企業と組んで５年後の製品化を目指し、ＤＲＡＭの代替を狙う。
開発したのはスマートフォン（スマホ）などの中で演算素子と組み合わせ、高速演算中のデータを保存するメモリー素子。電流で磁石の向きを変えてデータを書き換える記録方式で「ＳＴＴ―ＭＲＡＭ」と呼ぶ。電源がオフの状態でも情報を保つ。この方式は2018年度にも製品化される見通しだが、素子の線幅が約20ナノ（ナノは10億分の１）メートルにとどまっている。
研究チームは素子の形などを工夫し微細化を実現した。線幅8.8ナノメートルの素子を作り、動作することを確かめた。深見俊輔准教授は「数百ギガ（ギガは10億）ビットの大容量メモリーが実現できる」と話す。
2018/2/17 19:12
日本経済新聞
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO27057540X10C18A2000000/ >>1
韓国の時給＝２８０円（日本の３分の１以下）
https://awabi.5ch.net/test/read.cgi/news4plus/1392896793/l50
中韓企業のスマホ・家電製品は
ＴＤＫ、村田製作所等、日本の先端部品が無ければ製造できない
さらに部品製造工作機械では
ファナック、安川電機など日本製が世界トップ
シナチョンは莫大なパテントをＧ７に払って製造している
ほぼ組立工賃分しか儲からず超薄利商売しかできない 儲けるのはＧ７だけ
東京都の年間ＧＤＰ 1兆6239億ドル(193兆円）人口1360万人
韓国の年間ＧＤＰ 1兆3189億ドル(150兆円）人口5150万人 ←１人あたりのＧＤＰ日本の３分の１以下
韓国＝平均月給8万円（日本の３分の１以下）
名誉Ｇ７「スワアアアアアアアアアアアアアアアアアアアアアップｗ」
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ハエハエ★＝統括記者（運営側）＝名誉Ｇ７
＝朝鮮乞食＝ニュース＋で記録更新した辻元スレをいきなり「政治スレ禁止」規制で潰した過去（記録更新の後も辻元ニュースは他にあった）
（森友スレは「微妙にリンク」程度のネタでもその直前まで２か月間放置）
★★★★★★★ ニュース系速報板 歴代スレッド数ランキング ★★★★★★
１位 2017年 456スレ 辻元氏に関する記述、民進がメディア各位に不拡散要求 ★←記録達成後、辻元スレを＋から消すため運営が政治スレを禁止に
２位 2010年 311スレ 尖閣諸島中国漁船衝突映像流出
３位 2016年 287スレ 鳥越俊太郎｢女子大生淫行｣疑惑(週刊文春)
４位 2009年 263スレ 朝日新聞社員２ちゃんねる差別表現書き込み
５位 2008年 230スレ 毎日デイリーニューズ WaiWai問題
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ばーど★＝ 名誉Ｇ７＝ 反日スレばかり立てる朝鮮記者
↓↓↓ ＫＢＳなんてチョンじゃないと知らない ＫＢＳが日本のＮＨＫに相当することも知っている ↓↓↓
534 名前：ばーど ★[sage] 投稿日：2018/01/08(月) 21:49:54.50 ID:CAP_USER9 [250/336]
>>533
ＫＢＳは日本のNHKのようなものらしいので朝日・NHKソースの方が信頼できるのかなと
※ 政治スレ禁止なのにモリカケスレ立てまくってモリカケ騒動引き起こしたのもばーど★
名誉Ｇ７「スワアアアアアアアアアアアアアアアアアアアアアップｗ」 >>19
もう十年以上前から引っ張っているのに、一向に製品化されないのは何か大きな問題があるのだろう。 DRAMでできるならCPUに応用できないかな
量子コンピューターよりはるかに現実的だ
ムーアの法則再び！ こういう大学が画期的な技術開発とかニュース聞いて10年くらい経っても製品化された話をあまり聞かない。 MRAMなんて昔からある技術だけどコスト的にDRAMに全く太刀打ち出来ないでFA
だったはず
速度や容量がクリア出来てもDRAMクラスの製造コストクリアする技術が開発されない限りニッチな製品で終わる >電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「ＭＲＡＭ」
レスポンス遅くねえ ?
超大昔のコンピーターの記録素子に、こういうのって有っただろ >>19
もう一部でこの技術を応用したDRAM互換製品が出ているらしい
大容量の製品はこれからって感じ ,;:⌒:;,
8(･ω･)8 高集積化された不揮発性のRAMの誕生か
そのかわり速さがすげー遅かったりしてなｗ /~~/
/ / パカッ
/ ∩∧_,,∧
/ .|<丶｀∀´>
/／ | ヽ／
"￣￣￣"∪
こんにちはーサムソンニダー まだ日本にはRAMを作ってるような企業があるのか。 >>19
同じ東北大の通研だと，垂直磁気記憶とか有名。
提案は1977年で，HDD製品への採用が2005年。
今はほぼ100%のHDDが垂直磁気記憶方式になってるけど
製品化まで30年近くかかってるよね。 >>32
ttp://eetimes.jp/ee/articles/1602/02/news039.html
2016年
なお現在の東芝は… >>27
スピン注入メモリの製品化って聞いたことないな。
NVDIMMはNANDフラッシュだし
3Dxpointは相変化らしいし。 日本企業は無関心で、サムスンあたりが熱心に勧誘するんでしょ？ すごいやんけ
日本のはんどぅ体がまた世界をとってしまうんか >>36
残念ながらこのMRAMトップクラス企業もSamsungなんだよ >>16
彼女が高橋留美子のわずか３才年下とは意外だった ＨＤＤがＳＳＤのメモリーに代り、
メモリーは、ＨＤＤの技術に取って代わられると。 >>14
日本の企業は誰かがリスク取って製品化してくれるの待ってるだけだからな
韓国も研究開発やらんし製品化で手を上げるのは台湾あたりか 東芝が基礎開発に成功、と社内に新聞の切り抜きが回覧されたのが
1990年代後半だったと記憶しているんだが・・・ こういう大学で開発された技術って、どこの企業に渡るの？ 金積んだ物勝ち？ こういうニュースいつの間にか無かったことになるのは何でなんやで 速さについて言及してないようなんだがDRAM並以上はあるんだよな当然
でなきゃ代わりにならんよあ サムソンからスパイを送り込まれるな
ハニートラップには注意 リーク電流で半導体の未来も無いしな
今の技術が人類の頂点だよ メモリよりCPUの性能上げてくれよ
失われた１０年みたいになってんぞ なかなか、来ないね不揮発系のDRAM後継。今回の新型素子がブレークスルーだと良いのだが。
基本原理は、コンピューター史上初期に存在した磁気コイルメモリと変わりない。 インテルの3dpointは商品化しただけでも
偉いと思うけど、
当初の触れ込みと実際の商品はかなり違ってた 日本が開発し韓国が利益を得る。素敵なコンビネーション。 >>38
IGZOの話思い出すな
サムスンがライセンス契約したのを見たシャープが慌てて契約したという >>23
リング状の磁石に電線二本巻きつけて、それを並べていく奴な。
半世紀以上前のコンピューターに使われてた。
何て言う形式なのかは忘れたw
でも地対空ミサイルの制御コンピュータなんかに使われてたし、自衛隊の防空システム・コンピュータもこれだった。
当時から見たら考えられないほどの集積度で、何億倍も小さいんだから速度は比べ物に成らないと思う。 >>49
それ、サンプル出荷のレベルから先に進んでないような。
そのチップを採用した製品とか聞いたことない。 いくらメモリ容量増えてもosがサーバー用でも1Tまでぐらいしか認識しないだろう ポストDRAMはReRAMだと思ってたけどな
そういやIntelの3D Xpointってその後どうなってんだ？ >>75
メモリ容量が増えればそれに対応するOSが作られるのは自然な流れではあるが。
消費電力が少ないってことは余計な熱変換がないってことだから
当然処理速度も上がるんだろう。 サムスンに奪われた地位を奪い返して欲しい
そもそも昔はDRAMと言えば日本で貿易摩擦の対象にまでなっていたのにな
メモリー事業を稼げないからと放棄した日本の経営者の先見の明の無さに泣けてくる
いまやメモリーメーカーは価格の高値安定でウハウハの状態だもんな >>76
詳しいなおまえ
うちおいでよ
韓国だけど >>1
この20年、新しい素子のメモリー開発発表するけど量産化された試しが無い。 >>78
それが残存者利益
そこまで残れなかった日本企業の経営の問題なんだよ ま
ず
パ
次 ク
に る
起
欲 源
し が
ｳｪｰ､ﾊｯﾊｯﾊ く
∧＿∧ ＿＿ な
<丶｀∀´> |ﾆﾀﾞ-| る
（ ） ￣￣ >>37
http://www.fujitsu.com/jp/products/devices/semiconductor/memory/fram/overview/features/
これじゃダメなんか？
不揮発性
電源を切ってもデータが消えない
バッテリーフリー（グリーン化製品）
高速書換え
DRAMと同じように重書きが可能
書換えコマンドの発行不要
消去時間、書込みの待ち時間が不要
書込み時間がEEPROMの1/2,500
高書換え耐性
最大10兆回（10 13回）の書換えを保証
書換え回数がEEPROMの最大1,000万倍
低消費電力
書込みのための内部昇圧不要
書込み時の消費電力がEEPROMの1/13以下（2Mビット品、1秒間で2Kビット書込み時）
データ保持のリテンション電流不要
高セキュリティ
データ保持が電荷蓄積ではなく結晶の分極のため、不正解析の難易度が高い 東北大学の大野英男教授らは電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「ＭＲＡＭ」で、新型の素子を開発した。携帯端末やパソコンに搭載するＤＲＡＭの10倍以上の記憶容量が期待でき、省エネにも役立つ。企業と組んで５年後の製品化を目指し、ＤＲＡＭの代替を狙う。 >>82
それはDRAMには微細化という武器があったから
微細化が限界に達した今では新方式メモリが必要 軽くググってみるとSRAM並みに速いのか
価格次第ではSSDを置き換えたり出来るかな >>69
コアメモリーな
最後はビーズ細工みたいになって、手先の器用な職人が編んでた
お、このビーズ細工をシリコンで作ったら儲かるんじゃね？ → インテル設立
なんと、コアメモリーの４倍の容量が、この小さなチップの中に → ４０００シリーズ
メモリーなんか儲からねーよ → インテルのCPUバカ売れ
やっぱメモリー作りたくなった → ３Dクロスポイント >>87
なるほどな
値段が安ければ、これはいいな
DRAMを電池でバックアップは信用できないから 富士通のFM-8とかに「磁気バブルメモリ」とかついてたけどそれと同じじゃねえのか >>18
法則でもなんでもない、経済界が食いつくネタに過ぎん >>94
これを作ってる人たちの目標は、いつでも電源を切れるCPU
電源を入れれば、即刻、前の続きで動けるCPUだよ
CPUの中の全部の記憶部分を不揮発性にすれば、何かをどこかに退避する必要がない
DRAMの置き換えの先はそれ >>101
永久に無理な気がする
不揮発性メモリーを速くすれば、揮発性メモリーもその分速くなるから この手のニュースがたまに出てくるけど 量産化できるか否かがカギなんかな 半導体にはムーアの法則ってのがあってな。
２年で１．５倍に集積が進む。コストも。
５年後って事はDRAMは１．５倍の１．５倍ちょいになってる。 >>105
ムーアの法則なんてとっくに成り立たなくなってるって
知らないの？ 確かMRAMってSRAMに匹敵する読み書きのスピードなんだっけ… >>96
ウチの会社、創業当時はコアメモリを編んでた。
特定のビットに書き換えが集中すると、コアが過熱してデータが消えるので、プログラムでウェアリングまがいの事をしていたらしいな、 一般にも広がるのかね？
新しい技術が出てどうなるのか楽しみだわ >>101
瞬速レジュームか
作業の効率が全然違ってくるな >>107
3Dってパッケージレベルで三次元化されただけで
それだけでもどんだけ大変か知ってる？ >>110
日本企業で商品化→勝手に海外と共同開発の展開→日本企業撤退・海外企業生産続行 >>102
出来るとは言ってない
ロマンを求めてる人が多いと思う、この手の話は
ただ、何十年も無理ですね（笑）と言われてた垂直磁気記憶HDDがあっさり実用化されたので
がんばってほしいとは思う
なお、DRAMはそんなに速くはないよ
速さよりも単価だから DOUTOR コーヒー は 創価学会 だ
集 団 ス ト ー カ ー を するカルト宗教
東 京 都 北 区 赤 羽 は 創価の街
警察に偽証申告の赤羽住民
っっgっっhっっっっっじゅい あーこれゲーセンのコナミの基盤に使ってたヤツだろ？ >>117
売れる値段じゃないと意味がないんだよ
ただ速いだけなら作れる >>111
そう、コアメモリをアクセスしたり、編んだりするには、特定のテクニックがあったよ
コアが小型化すると、それが顕在化して、難しくなるし、使いにくくなる
ただ、電源切っても消えないのが当たり前だったから、消えるメモリーは嫌がられた >>114
いわゆる IoTは、電池で何か月もって要求があるから、
それこそ、必要な計算が終わったら、１クロックで停止できるのは魅力だろうね
PCだと、OSの起動・終了の概念がなくなるかも >>121
メモリーは単価勝負
速いDRAMは需要が無いね DRAMでも速さとコストはトレードオフです
と俺の師匠が言ってた また、「コンピュータに磁石を近づけないでください」の文言が復活するのか？ 塩ひとつまみ加えてHDD容量６倍のニュースから早６年 52 ：<丶｀∀´>（´・ω・｀）（｀ハ´ ）さん＠無断転載は禁止：2017/02/07(火) 23:07:34.75 ID:iii0eG8r
韓国企業に技術を盗まれた挙句、韓国企業にことごとく駆逐される日本企業(w
サムスン
シャープから技術を盗みまくった挙句、シャープから盗んだ
技術であることを忘れてシャープに特許訴訟を仕掛けた。
ポスコ
新日鉄の惜しみない技術支援により、創業時から新日鉄と全く同等
の最新鋭工場を運営することが出来た。
創業の大恩人である新日鉄から虎の子技術である方向性電磁鋼板の
技術を盗み、新日鉄に大損害を与えた。
現代重工
現代重工会長鄭周永は川崎重工会長と親しくすることで、
現代重工社員２人を研修生として川崎重工に潜り込ま
せることに成功。特殊工具、図面など、ありとあらゆる物を
盗み出し、「この時持ち出した物でコンテナ２台が満杯に
になった」と誇らしげに自叙伝に記した。
SK Hynix
提携先の東芝からフラッシュメモリの機密情報を盗み、2億7800万ドルの和解金を
東芝に支払った。 日本政府はこういう所に税金入れずに朝鮮人差し向けるクズだからな シナチョンの学生がとっくに研究成果を盗んで母国に漏洩してんじゃねw
しばらくしたらサンチョンとかから製品出てくるぜ こういうのって研究分野から定期的に出るけど、実用化が問題で大体が10年以上かかって世に出るか出ないかって感じで、その頃には既存技術も進化していて、みたいなオチなんだよな。
特に半導体はプロセスが似てるから差別化難しいし。
ポイントは磁化された電子がフラッシュの捕獲された電子より安定かどうかだな。あと磁場に弱いのはどうしょうもないと思うな。 金日成は日本人。金日韓併合後の平壌生まれだから日本人として生まれた。 >>1
日本の大学の発表なんてまた予算が欲しくて捏造か？くらいのレベルだからな
もう誰も騙されないんじゃ？
小泉から安倍チョンまで本当に日本は落ちぶれたもんよ Memtest86+ はパスしたの？
IvyBridge (i5)な世代に8GB積んでるけど、デイトレには既に十分。 >>1
大昔、速度が早いからってRDRAMだかDRRAMだかで
PC組み立てたけど
拡張するにもメチャクチャ高くて
合計512Mで4ちゃんねる全部使う位しかできなかったわ
これもそういうパターンになりそうじゃないか？
普及すりゃ良さげだが。 因みに東北大はHDD時代から磁気記録に関してはリードしているが最近は垂直記録以降あまり実績がない。
アシスト系もほとんど進捗ないし。 日本で実用化できるならやってみ
一切期待しないけど
できなければサムスンに流れるだけ
望む望まないじゃなく自動的にそうなるから
望むのもアホらしい傍観するから適当にやってて 現存のメモリなんて全てアメと日本が開発したもんやで
日本(東芝)が技術を安売りして価格破壊するからアメリカも迷惑してる 細々と研究してるね
実用化して商売になれば中国や韓国には勝てないんだろうけど >>151
以前にPCショップに言われたこと
Memtest86を連続で掛けると壊れるからヤメテ
ボロを売ってたんだろう 結局微細化テクか、ってことは製造の現場を持っているサムスンとかが実用性で先行することになるのは確実ｗ 日本人がそれを作ることに意味はないと思う
つまり金の無駄 大学が日本企業に話持っていっても門前払い
聞いてくれたののは中韓企業だけ
NHKスペシャルで見たぞ どうせ日本のメーカーが激安で契約させろと迫って
高値で申し込んできた特アに流れちゃう運命なんでしょ >>136
リフレッシュ出来ない奴が、ﾌｧﾋﾞｮを患うのですねｗ >>153
RDRAMだったはず、ヒートシンクにもなるアルミのカバーがあったよなぁ。。
自分は最初から、手を付けなかった。 >>1
やっと集積度上げてコスト削減出来る素子が出てきた DRAMの微細化は限界に来てるからこれ以上容量を増やすのは難しい
だからこそ、最近はMRAMが期待されてるわけ
DRAMはコンデンサに電荷を蓄えてトランジスタでオンオフしてるだけなので
構造は簡単だがデータを読み出すと再書き込みしないといけない
また、DRAMはコンデンサに電荷をためてるだけなので一定の時間がたつと内容が消えてしまう
だから定期的に再書き込みが必要だがMRAMはこういったことをする必要が無い DRAMの終焉――消えないメモリがもたらす大変化
http://diamond.jp/articles/-/35682?page=2
いままでの限界説は半導体の微細化そのものの限界でしたが、
今回はDRAM内部において、情報を保持するための電荷量が少なくなってしまうという
DRAMの基本メカニズムそのものに関わる問題であることと、
DRAMチップを積層化させる技術（3Dスタッキング）などは提案されているものの
抜本的な解決とはいいにくい状況です。
今回は何よりも当のDRAMベンダー自身が、DRAM代替候補として、
不揮発性メモリを中心に次世代メモリ技術の研究開発を活発化させています。
?DRAMに限界が訪れた場合、DRAMに代わる、新しいメモリ技術が必要となります。
その最有力候補として注目されているのが、不揮発性メモリ(Non-volatile memory)です。
不揮発性メモリは文字通り、電源を切っても情報が消えないメモリのことですが、
その中でもDRAM代替として有力視されているのは
MRAM(磁気抵抗RAM)とReRAM(抵抗変化型メモリ)などの技術です
(STT-MRAMやPCRAM、FeRAMなど、他にも有力視される不揮発性メモリはありますが、
今回はメモリ技術の解説ではなく、その影響についての解説なので割愛します。
本稿では、STT-MRAMはMRAMと区別せずに、MRAMと表記しています)。
?MRAMやReRAMは情報を電荷ではなく、抵抗値を変化させることで保持します。
このため半導体回路を微細化しても、DRAMのように電荷量不足の問題は起きません。
10ナノメートル以下のプロセスの微細化にも対応できるといわれています。
MRAMやReRAMは記憶回路は比較的単純なのでDRAM並に大容量化もできるとされ、
読み書き性能もそこそこ高速なので、今後、DRAM代替となる次世代メモリとして期待されています。
?なお、SDカードなどにも使われるフラッシュメモリも不揮発性大容量メモリですが、
読み書きが遅いのでDRAMの置き換えは難しい。
また、キャッシュなどではSRAMと呼ばれるメモリが利用されます。
リフレッシュ電流が不要なので、消費電力は減らせますが、
メモリ回路が複雑なために大容量化が難しいのが現実です。 今回のニュースはMRAMの微細化に成功したよというニュース
微細化の限界に来てるDRAMの代わりに使われるかもしれないということ BUFFALOかどこかが数年前にMRAMを使ったSSDを
製品化してた記憶がある
価格は忘れたけどクソ高かったんだろうな >>180
あれはキャッシュメモリをMRAMにしただけだろ
ESEC2012】バッファローのMRAMキャッシュ搭載SSD、その実力やいかに！？
http://eetimes.jp/ee/articles/1205/10/news089.html メモリに投資できる会社は数社しか無いしなぁ
東芝のアレで日本には無くなっちゃうし こういうのを開発しても結局はメインはサムスンやらに取られるだけなんやろ RAMの技術革新はよお願いするわ
やたらと価格が高騰して増設できない
まあ16GBあるから取り合えずは足りてるけど フラッシュメモリよりいいのかな？
ＣＰＵのキャッシュ用？メインメモリ用？外部記憶装置用？
容量やスピード、コスト的にどこに使うんだろう？ フラッシュメモリも東北大だったな
東北大って半導体関連強いな で、もたもたしているうちに、朝鮮人に朴られるんだろｗ >>16
「関東ローム層に謝れ！」みたいなセリフ吐く理系のぶりっこ(死語)女子ってもんのすごく生息世代域狭かったな
不思議ちゃんとか電波ちゃんに食われてった感じか この分野で先頭行ってるのがSKと東芝の共同研究だぞ ＳＲＡＭとＤＲＡＭの間くらいのスピードだそうだ
ＣＰＵのキャッシュにするのかな
cpuの三次キャッシュとか、そこらへん 本当にいいものは軍用に使われ、その軍用システムが旧態化してきたら民用に割譲させる
だから、発表から民用の製品化まで時間が掛るのは当たり前の話 既存技術の細線化だと益々作りにくいデバイスになるな 早くて容量大きくて不揮発
言うことなしだね
けど値段がやばそう >>200
下請けの半導体製造装置産業が中韓に売り込みに行ったら復活しちゃうよ
今後は装置メーカーの地位も向上させて、海外に売りに行かなくても十分に食っていかれる
ような産業政策が必要 メガ時代にテラなんて想像もしなかった感じ？よくわからん 最近になってSTT-MRAMはようやく、DRAMに近いギガビット級の大容量を達成できる見通しが出てきた
その最先端を走るのが、SK Hynixと東芝のSTT-MRAM共同開発チームである
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/1043478.html >>183
たとえサムスンに取られても特許料ガッポリもらえばそれでいいわけだが、日本企業は
気前がいいからな
やはり軍事力強化して特許料払わなければやるぞ！ぐらいの脅しをかけないと中韓から
まともな特許料はいただけない 研究室の成果は歩留まり完全無視だから
実現するのは何十年先になるやら MRAMてかなり用途が限られるんだよな。製品化は細々とされているが、ほぼ絶望視されている >>38
どこもジリ貧だからもう契約できる体力がないな 産総研や大学て、こういうアドバルーン上げて予算獲得や成果報告に利用したいだけのやつが多すぎ 企業は企業で国プロ予算獲りたいだけだし、あわよくば大学に天下り狙い 容量が10倍で電源がオフでも保存されるなら
真の起動ディスクとして使えるんじゃない？
320GBぐらいあるんだろ充分じゃん
SSDの存在価値がなくなる >書き換え10兆回で低電力 富士通セミコンが新メモリー
>https://www.nikkei.com/article/DGXNASFK1903H_Z10C13A3000000/
直ぐ後ろにＭＲＡＭを激しく凌駕する次世代メモリが待っている
10兆回だぞ？１０億回でも１０万回でもＮａｎｄ ＳＳＤのＴＬＣ １０００回でもない、 作られる強誘電体メモリは、基本としてＤＲＡＭとほぼ同一構造、
それはＮａｎｄＦｌａｓｈがＤＲＡＭに絶縁体の蓋がついているので同一構造としているのに近い
違いはその蓋がフリップフロップ回路のように動くためにＦｌａｓｈメモリのように劣化が無い、
Ｆｌａｓｈのように蓋から電気が漏れないのでキャパシタを小さくできる http://eetimes.jp/ee/articles/1710/17/news018.html
> NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループでは反強誘電体キャパシターの改良により、
>10^12回（1兆回）〜10^14回（100兆回）の書き換えサイクルを達成可能だと見ている。
反強誘電体の１００兆ショック https://www.toshiba.co.jp/tech/review/2015/10/70_10pdf/f02.pdf
取り込み前のページ説明、オリジナルは３８ページの右下に
SRAM
eDRAM
STT-MRAM
ap-STT-MRAM
の４種類の数値比較がある。 深見さんのかまだ色々難しいってのどーにかなりそうなのかな >>116
結局日本のバカ官僚（経済産業省）のせいなんだよ。 知財保護とか言いつつ何もしない
売った後ギャーギャー言うだけ。 バカかと、法制しろよｗ ＭＲＡＭなどの不揮発メモリが重要なのは、電流を流したままの
スリープ状態と動作状態を操作で切り替えるのではなく、
個別、個々の部分を細かい単位で電源を落とし０秒復帰できる用途に必須なのです。
それは高速なＣＰＵ向けよりも携帯デバイスのようなバッテリー駆動のそれに適している。
ＭＲＡＭはＣＰＵより熱に強いので完全３Ｄ実装でＣＰＵの真上にメモリを実装することが
熱に弱いＤＲＡＭでは不可能だったが可能になる。 >>76
>ポストDRAMはReRAMだと思ってたけどな
>そういやIntelの3D Xpointってその後どうなってんだ？
いや、それはストレージクラスのメモリで、ＤＲＡＭ代行じゃない
書き換え回数で１兆回以上書き換えられないとＤＲＡＭ置き換えとか無理だから
そのクラスでは線形予測であって実証できないので上限が曖昧になっているのが多い、 日経新聞の記事じゃ詳しい事はさっぱりだからソース元に見に行った
プレスリリース
磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現〜超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋〜
http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2018/02/press20180214-01.html
3.8nメートルの技術なのに8.8nという数字はどこに？日経の誤植か？
それとプレスリリースの図を見るとHDD等で築いた垂直磁気記録の技術を応用しているように見える MRAMは高温動作は苦手やで
微細化するほど苦手度アップするで こういうニュースで実物が出てきた試しないけどねｗ
ホログラムメモリとか熱アシスト記録とか SSDの代替にはならないだろ。
恐らく安定性に問題がある。
ストレージクラスとしてDRAMの代替品だな。 >>196
今でもやってるがオンメモリデータベースになる >>245
>実験室レベルでは、150℃の環境で連続使用20年の加速度テストもクリアしている。
>https://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0807/hot499.htm
どこがDRAMに比べて熱に弱いんだよ、DRAMなんてちょっと暑くなるだけであっさり死亡するぞ。 >>249
フラッシュでいだろ、それは
DIMMに刺さないの？ そっちの世界では 昔の磁気コアメモリや磁気薄膜メモリや磁気ワイヤメモリに似てるな。
半導体の微小加工技術でリバイバルしたような感じで既視感がある。 これってブロッホラインメモリか？
なら原理の発明は東北大学じゃねーよ >>235
経団連「金を貰うまでも無い、こちらから現金を添えてくれてやる」 磁性体は温度が上がると
磁気の保持ができなくなるので
温度が上がるとデータが消えるのが磁気コア。
もっともMRAMがその原理を利用してるとは限らないが。 電源切れたら消えるDRAMはセキュリティでは有利だろ いまどきDRAM作ってる日本メーカーは無いから
サムスンかマイクロンと組むのか 性能はいいんだけど5年後って阿呆すぎだろｗ
そんなの代替品がとっくに出てる
全力でサポートして2年後に出せよ >>250
仕事で関わってたけど、未だ限られた部分でしか普及してないのは、高温動作が苦手なのと読み出しだけでも素子が劣化する事にある。
実験室レベルでは改善する術はなくもないけど、量産レベルではコストが見合わない。
各社地道に研究してるけど、未だ程遠い。 まず、そもそもこの発表が本当かどうか疑わしい
仮に本当だとしても、量産できない可能性が高い >>265
>仕事で関わってたけど
まったく違うふるいMRAMを説明してもなぁ
いまのはSTT-MRAMで原理そのものが違うし
１０年磁気保持の磁気スペックが嘘だと主張するのはいいけど
技術が常に同じだというのはレッテルはりじゃね？
そもそも磁気が狂う温度は磁性体のキュリー温度が低い奴が発生するのを
すべて同じと思うのはどうだろう、キュリー温度69℃から 1388℃までであるのに
一律で温度に弱い言うならHDDの磁石が少し温度高めで回らなくなるぞと連呼しているようなもの >>265
>読み出しだけでも素子が劣化する事にある。
恐ろしく古いデータを知っていて、全部が読み出し劣化とかないわ、
単にレッテル貼りたいだけでしょ、昔のは弱点だらけだったが
どれも改善されているから製品化になる。
どんなものでも初期（既に出ていたプロトタイプ）のは弱点だらけな。 >>260
東芝はDRAMは撤退したけど、MRAMはやってるよ 10倍は凄いな
今のパソが8-16GのメモリでＳＳＤが120-240Gだからな
ＳＳＤがメインメモリに乗るな はいはい。ちゃんといままで税金から支払われた研究費を返せるように、研究成果を正しい企業に販売しろよ。 【衝撃】 SSDは7日通電しないとデータをロストする。
こちらは、25度だと1〜7年、30度だと半年〜3年と40度で約13週間(=約3ヶ月)、
45度では7週間、50度では4週間、5度上がるごとに データ保持期間が半分になるという
その点、東芝製不揮発性磁気メモリーMRAM 通電不要
優れた高温データ保持特性 （Tc>500℃）
半永久的にデータの読み出しと書き込みを繰り返し可能
アクセス時間は3.3ナノ秒を実現するとともに、
SRAMと比べて消費電力を10分の1以下に抑えている。
【メモリ速度比較】 SRAM=1秒 DRAM=10秒 内蔵SSD=10時間 外付けSSD=1週間 HDD=論外 .> 東芝はＤＲＡＭの10倍以上線幅8.8ナノメートルMRAM、米ウエスタン・デジタル(WD)と製造するのか。
素子の線幅が約20ナノ（ナノは10億分の１）は韓国SK Hynixと東芝が共同開発した
4Gbitの大容量STT-MRAMを 2018年度にも製品化される見通し、
東北大学の大野英男教授ら研究チームは素子の形などを工夫し微細化を実現した。
線幅8.8ナノメートルの素子を作り、 動作することを確かめた。
深見俊輔准教授は「数百ギガ（ギガは10億）ビットの 大容量メモリーが実現できる」と話す。 10倍以上で、不揮発性で、5年後に実用化。
OPTANEでいいやん！ FeRAMと同じ運命だと思うわ
2T2MTJとかワロス optaneの後塵を拝す位置にすら辿り着けないだろうけど、スマホでの適用を目指すってのはとても良いと思う。
INTELはXEONに固執しすぎ。 SSD、高いわー。
安ーて良いの、早よ作ってほしいわー。 速度性能，耐久性，微細化まではクリアできたとして
製造コストは下げられそうなの？
厚い磁性体の層を作ったりと加工手順が多そうな印象だけど CPUとこれ一纏めにして、マザーボードにぶっ刺すカセット上にすれば ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
