>>419
円筒形のチャンバー内にワイヤー状のパラジウム電極を2つ配置し、
その周囲をニッケル製メッシュで囲む。
この状態で、電極に高電圧をかけて放電処理した後、
100～200℃で加熱（ベーキング）処理する。この結果、
パラジウムワイヤーの表面は、パラジウムとニッケルによる
ナノスケールの構造を持った膜で覆われることになる。
こうしてパラジウム表面を活性化処理した後、チャンバー内を
真空にし、ヒーターで数百度まで加熱した状態で、
重水素ガスを高圧（300～170パスカル）で圧入し、
パラジウムと重水素を十分に接触させる。
すると、ヒーターで入力した以上の「過剰熱」が観測された。
活性化処理せずに同じ装置と条件で重水素ガスを圧入した場合、
過剰熱は観測されず、その差は70～100℃程度になるという。