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【MRAM】記憶容量、DRAMの10倍以上へ 東北大が新素子
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0001ばーど ★
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2018/02/17(土) 21:08:03.29ID:CAP_USER9
 東北大学の大野英男教授らは電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「MRAM」で、新型の素子を開発した。携帯端末やパソコンに搭載するDRAMの10倍以上の記憶容量が期待でき、省エネにも役立つ。企業と組んで5年後の製品化を目指し、DRAMの代替を狙う。

 開発したのはスマートフォン(スマホ)などの中で演算素子と組み合わせ、高速演算中のデータを保存するメモリー素子。電流で磁石の向きを変えてデータを書き換える記録方式で「STT―MRAM」と呼ぶ。電源がオフの状態でも情報を保つ。この方式は2018年度にも製品化される見通しだが、素子の線幅が約20ナノ(ナノは10億分の1)メートルにとどまっている。

 研究チームは素子の形などを工夫し微細化を実現した。線幅8.8ナノメートルの素子を作り、動作することを確かめた。深見俊輔准教授は「数百ギガ(ギガは10億)ビットの大容量メモリーが実現できる」と話す。

2018/2/17 19:12
日本経済新聞
https://www.nikkei.com/article/DGXMZO27057540X10C18A2000000/
0003名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:09:05.11ID:gOZWPEkR0
最強のZRAMなら何倍?
0006名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:10:11.43ID:iKWm+AxB0
>>1
韓国の時給=280円(日本の3分の1以下)
https://awabi.5ch.net/test/read.cgi/news4plus/1392896793/l50


中韓企業のスマホ・家電製品は
TDK、村田製作所等、日本の先端部品が無ければ製造できない
さらに部品製造工作機械では
ファナック、安川電機など日本製が世界トップ

シナチョンは莫大なパテントをG7に払って製造している
ほぼ組立工賃分しか儲からず超薄利商売しかできない 儲けるのはG7だけ



東京都の年間GDP 1兆6239億ドル(193兆円)人口1360万人
韓国の年間GDP  1兆3189億ドル(150兆円)人口5150万人 ←1人あたりのGDP日本の3分の1以下

韓国=平均月給8万円(日本の3分の1以下)

名誉G7「スワアアアアアアアアアアアアアアアアアアアアアップw」

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ハエハエ★=統括記者(運営側)=名誉G7
=朝鮮乞食=ニュース+で記録更新した辻元スレをいきなり「政治スレ禁止」規制で潰した過去(記録更新の後も辻元ニュースは他にあった) 
(森友スレは「微妙にリンク」程度のネタでもその直前まで2か月間放置)

★★★★★★★  ニュース系速報板  歴代スレッド数ランキング ★★★★★★
1位 2017年 456スレ 辻元氏に関する記述、民進がメディア各位に不拡散要求 ★←記録達成後、辻元スレを+から消すため運営が政治スレを禁止に
2位 2010年 311スレ 尖閣諸島中国漁船衝突映像流出
3位 2016年 287スレ 鳥越俊太郎「女子大生淫行」疑惑(週刊文春)
4位 2009年 263スレ 朝日新聞社員2ちゃんねる差別表現書き込み
5位 2008年 230スレ 毎日デイリーニューズ WaiWai問題

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ばーど★= 名誉G7= 反日スレばかり立てる朝鮮記者

↓↓↓ KBSなんてチョンじゃないと知らない KBSが日本のNHKに相当することも知っている ↓↓↓
534 名前:ばーど ★[sage] 投稿日:2018/01/08(月) 21:49:54.50 ID:CAP_USER9 [250/336]
>>533
KBSは日本のNHKのようなものらしいので朝日・NHKソースの方が信頼できるのかなと

※ 政治スレ禁止なのにモリカケスレ立てまくってモリカケ騒動引き起こしたのもばーど★

名誉G7「スワアアアアアアアアアアアアアアアアアアアアアップw」
0007名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:10:18.83ID:SVJJmhsa0
1万円で買える?
0011名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:11:58.10ID:tcUKcTLT0
日本が引っ張っていくべき分野
0012名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:12:40.18ID:1xcJVnsj0
日経なのがな
0014名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:13:58.40ID:PYYI90mY0
>>19
もう十年以上前から引っ張っているのに、一向に製品化されないのは何か大きな問題があるのだろう。
0017名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:15:20.39ID:e9e0y5Ds0
新井素子
0018名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:15:21.90ID:ZOuk0CFC0
DRAMでできるならCPUに応用できないかな
量子コンピューターよりはるかに現実的だ

ムーアの法則再び!
0019名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:15:45.63ID:jdqahTcv0
こういう大学が画期的な技術開発とかニュース聞いて10年くらい経っても製品化された話をあまり聞かない。
0021名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:16:42.71ID:DiTkxDhG0
MRAMなんて昔からある技術だけどコスト的にDRAMに全く太刀打ち出来ないでFA
だったはず
速度や容量がクリア出来てもDRAMクラスの製造コストクリアする技術が開発されない限りニッチな製品で終わる
0023名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:16:58.37ID:kPO18amJ0
>電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「MRAM」

レスポンス遅くねえ ?
超大昔のコンピーターの記録素子に、こういうのって有っただろ
0027名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:18:39.33ID:/AEiNH2Z0
>>19
もう一部でこの技術を応用したDRAM互換製品が出ているらしい
大容量の製品はこれからって感じ
0028名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:19:04.93ID:poFzLYYH0
 ,;:⌒:;,
8(・ω・)8 高集積化された不揮発性のRAMの誕生か
      そのかわり速さがすげー遅かったりしてなw
0030名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:21:05.91ID:BytVn07q0
    /~~/
    /  /     パカッ
   / ∩∧_,,∧
   / .|<丶`∀´>
   // |   ヽ/
  " ̄ ̄ ̄"∪
こんにちはーサムソンニダー
0033名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:23:29.60ID:wHXvKB3F0
>>19
同じ東北大の通研だと,垂直磁気記憶とか有名。
提案は1977年で,HDD製品への採用が2005年。
今はほぼ100%のHDDが垂直磁気記憶方式になってるけど
製品化まで30年近くかかってるよね。
0036名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:24:39.09ID:lYVPDVOP0
朝鮮企業に教えない事が大切
0037名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:25:14.99ID:B25Chl2N0
>>27
スピン注入メモリの製品化って聞いたことないな。
NVDIMMはNANDフラッシュだし
3Dxpointは相変化らしいし。
0038名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:25:19.24ID:aEeQslfZ0
日本企業は無関心で、サムスンあたりが熱心に勧誘するんでしょ?
0039名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:25:35.54ID:0y/nBlbX0
すごいやんけ

日本のはんどぅ体がまた世界をとってしまうんか
0042名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:28:15.84ID:VDOVipGN0
サムスンが注視してる
0043名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:28:54.70ID:DiTkxDhG0
>>36
残念ながらこのMRAMトップクラス企業もSamsungなんだよ
0044名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:29:12.79ID:VDOVipGN0
GJ東北大
0046名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:29:42.95ID:FkauJJ4X0
スマホ用だったら遅くても構わんだろう
0047名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:30:17.85ID:VDOVipGN0
>>14
予知能力がすごい
0048名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:31:16.87ID:GhBwWjgi0
実用化、商品化されてからニュースにしてくれ
0050名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:34:05.16ID:XM8lSFov0
HDDがSSDのメモリーに代り、
メモリーは、HDDの技術に取って代わられると。
0052名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:35:19.63ID:BaeJUON30
>>14
日本の企業は誰かがリスク取って製品化してくれるの待ってるだけだからな
韓国も研究開発やらんし製品化で手を上げるのは台湾あたりか
0053名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:35:44.85ID:NElKPX+h0
東芝が基礎開発に成功、と社内に新聞の切り抜きが回覧されたのが
1990年代後半だったと記憶しているんだが・・・
0054名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:36:16.25ID:HQmQVW6d0
支那チョンへ売っぱらったら、家系は外国籍だぞ
0055名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:36:35.51ID:Qa2Hiqju0
こういう大学で開発された技術って、どこの企業に渡るの? 金積んだ物勝ち?
0057名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:37:14.77ID:5iHTtApx0
こういうニュースいつの間にか無かったことになるのは何でなんやで
0058名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:38:44.49ID:IqCPsnaU0
速さについて言及してないようなんだがDRAM並以上はあるんだよな当然
でなきゃ代わりにならんよあ
0060名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:39:23.81ID:2pMo3oOl0
サムソンからスパイを送り込まれるな
ハニートラップには注意
0061名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:41:00.00ID:LWVFicOk0
リーク電流で半導体の未来も無いしな

今の技術が人類の頂点だよ
0063名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:41:45.53ID:/+foZHe30
メモリよりCPUの性能上げてくれよ
失われた10年みたいになってんぞ
0064名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:41:47.43ID:HQnssNcm0
なかなか、来ないね不揮発系のDRAM後継。今回の新型素子がブレークスルーだと良いのだが。
基本原理は、コンピューター史上初期に存在した磁気コイルメモリと変わりない。
0065名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:42:26.80ID:w5ZYMLx00
インテルの3dpointは商品化しただけでも
偉いと思うけど、
当初の触れ込みと実際の商品はかなり違ってた
0066名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:42:37.46ID:iIWWlcwS0
日本が開発し韓国が利益を得る。素敵なコンビネーション。
0067名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:42:48.71ID:2NMGQ6Vu0
>>38
IGZOの話思い出すな
サムスンがライセンス契約したのを見たシャープが慌てて契約したという
0069名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:43:50.88ID:qR9i9M300
>>23
リング状の磁石に電線二本巻きつけて、それを並べていく奴な。
半世紀以上前のコンピューターに使われてた。
何て言う形式なのかは忘れたw

でも地対空ミサイルの制御コンピュータなんかに使われてたし、自衛隊の防空システム・コンピュータもこれだった。

当時から見たら考えられないほどの集積度で、何億倍も小さいんだから速度は比べ物に成らないと思う。
0071名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:45:23.89ID:/AEiNH2Z0
>>69
時期コアメモリか?
0072名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:45:36.54ID:/AEiNH2Z0
磁気だった
0073名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:46:07.10ID:B25Chl2N0
>>49
それ、サンプル出荷のレベルから先に進んでないような。
そのチップを採用した製品とか聞いたことない。
0075名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:47:33.17ID:lsrsBsMj0
いくらメモリ容量増えてもosがサーバー用でも1Tまでぐらいしか認識しないだろう
0076名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:49:08.80ID:r5Skg0ki0
ポストDRAMはReRAMだと思ってたけどな
そういやIntelの3D Xpointってその後どうなってんだ?
0077名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:50:02.91ID:4f7E2ZCT0
>>75
メモリ容量が増えればそれに対応するOSが作られるのは自然な流れではあるが。

消費電力が少ないってことは余計な熱変換がないってことだから
当然処理速度も上がるんだろう。
0078名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:51:10.07ID:KMAShCdQ0
サムスンに奪われた地位を奪い返して欲しい
そもそも昔はDRAMと言えば日本で貿易摩擦の対象にまでなっていたのにな
メモリー事業を稼げないからと放棄した日本の経営者の先見の明の無さに泣けてくる
いまやメモリーメーカーは価格の高値安定でウハウハの状態だもんな
0081名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:52:41.19ID:SxzMcmXu0
>>76
詳しいなおまえ
うちおいでよ
韓国だけど
0082名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:54:45.94ID:lxopz1Qp0
>>1
この20年、新しい素子のメモリー開発発表するけど量産化された試しが無い。
0083名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 21:58:58.95ID:Y+1Ep0Nw0
>>78
それが残存者利益
そこまで残れなかった日本企業の経営の問題なんだよ
0085名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 22:01:09.64ID:qpWASMzJ0
                      ま
                      ず
                      パ
                   次  ク
                   に  る
                   起
                欲  源
                し  が
 ウェー、ハッハッハ        く
   ∧_∧    __   な
  <丶`∀´>   |ニダ-|  る
  (    )     ̄ ̄
0086名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 22:02:26.11ID:SclYao5R0
>>37
http://www.fujitsu.com/jp/products/devices/semiconductor/memory/fram/overview/features/

これじゃダメなんか?
不揮発性
電源を切ってもデータが消えない
バッテリーフリー(グリーン化製品)
高速書換え
DRAMと同じように重書きが可能
書換えコマンドの発行不要
消去時間、書込みの待ち時間が不要
書込み時間がEEPROMの1/2,500
高書換え耐性
最大10兆回(10 13回)の書換えを保証
書換え回数がEEPROMの最大1,000万倍
低消費電力
書込みのための内部昇圧不要
書込み時の消費電力がEEPROMの1/13以下(2Mビット品、1秒間で2Kビット書込み時)
データ保持のリテンション電流不要
高セキュリティ
データ保持が電荷蓄積ではなく結晶の分極のため、不正解析の難易度が高い
0088名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 22:03:23.01
東北大学の大野英男教授らは電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「MRAM」で、新型の素子を開発した。携帯端末やパソコンに搭載するDRAMの10倍以上の記憶容量が期待でき、省エネにも役立つ。企業と組んで5年後の製品化を目指し、DRAMの代替を狙う。
0090名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 22:04:51.35ID:2pMo3oOl0
>>82
それはDRAMには微細化という武器があったから
微細化が限界に達した今では新方式メモリが必要
0094名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 22:07:34.74ID:WFxOiY6r0
軽くググってみるとSRAM並みに速いのか
価格次第ではSSDを置き換えたり出来るかな
0096名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 22:10:40.54ID:SclYao5R0
>>69
コアメモリーな

最後はビーズ細工みたいになって、手先の器用な職人が編んでた

お、このビーズ細工をシリコンで作ったら儲かるんじゃね? → インテル設立
なんと、コアメモリーの4倍の容量が、この小さなチップの中に → 4000シリーズ
メモリーなんか儲からねーよ → インテルのCPUバカ売れ
やっぱメモリー作りたくなった → 3Dクロスポイント
0098名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 22:15:15.06ID:SclYao5R0
>>87
なるほどな
値段が安ければ、これはいいな
DRAMを電池でバックアップは信用できないから
0099名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 22:17:10.93ID:fTWAA8ce0
富士通のFM-8とかに「磁気バブルメモリ」とかついてたけどそれと同じじゃねえのか
0100名無しさん@1周年
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2018/02/17(土) 22:17:14.25ID:QO3wP3hM0
>>18
法則でもなんでもない、経済界が食いつくネタに過ぎん
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